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走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2024年2月18日 就生产流程而言，碳化硅粉末需要经过长晶形成晶碇，再经过切片、打磨和抛光等一系列步骤方可制成碳化硅衬底；衬底通过外延生长形成外延片；外延片再经过光
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2024年2月18日 半导体碳化硅 (SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；. 爱在七夕时 . 东莞南方半导体科技有限公司 品质主管. 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外
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2023年7月14日 碳化硅全产业链提速. 作为第三代半导体材料，碳化硅相较于硅材料，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造
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2021年11月17日 碳化硅晶体生成后，需要经过切、磨、抛等工艺流程，该阶段与公司原蓝宝石生产工艺相近。 程明认为，SiC第一大市场应用在新能源领域，预计2023~2025年市场
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2024年2月5日 作为第三代半导体材料，碳化硅晶体是新能源汽车、光伏和5G通信等行业急需的战略性半导体材料，是材料领域发展最快、国际竞争最激烈的方向之一。目前已发现
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首页 产品 晶体生长加工设备 碳化硅（SiC）长晶炉. 采用电阻加热和改进的自蔓延高温合成法， 合成可用于单晶生长的高纯SiC粉料的设备。 可提供半定制化服务. 高真空. 腔体内壁经镜面抛光，减少气体附着； 各表面严密
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2017年6月19日 中国磨料磨具网()讯】为了深入了解碳化硅行业现状、 有5条生产线,产能在14到15万吨,现在淘汰了两条8300的小炉子,产能有 sic[碳化硅]_互动百科
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SiC单晶生长炉. 发布时间: 2018/09/06 13:05,类别: 自主研发设计第五代的SiC单晶生长设备，可满足6到8寸导电及半绝缘型碳化硅单晶的生长制备。 采用单室立式双层水冷不锈钢
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2024年2月18日 目前，碳化硅外延工艺主要有化学气相沉积（CVD）、液相外延生长（LPE）和分子束外延生长（MBE）。. 其中，CVD是目前工业中应用最为广泛和成熟的方法。. 目前，市场主要被德国的AIXTRON SE、意大利的LPE、日本的TEL和Nuflare四大厂商占据。. 然而，受限于产能因素 ...
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碳化硅与氮化镓退火与石墨烯生长高温加热炉: c.ACTIVATOR 150 ACTIVATOR 150高温炉生产线,用于碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）器件的离子注入后退火。c.ACTIVATOR 150有各种各样的版本可供作为研发与系列生产加热炉 碳化硅干燥生产线 常州科茂干燥
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2010年12月6日 甘肃金戈碳化硅有限公司属于股份制企业，主要从事碳化硅的生产和销售。 新建一条8000KVA、一条12000KVA碳化硅生产线。 项目建成后电阻炉炉气采取表面燃烧的措施，消除CO污染；扒炉时采用湿法作业，可以获得较好的防尘降温效果，减少烟尘产生量；产品破碎尾气采用布袋除尘器处理后经15m排气筒 ...
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2020年7月2日 碳化硅烧结炉. 用途:中频碳化硅烧结炉是一种间歇式感应加热炉，主要用于硬质合金、粉沫冶金行业生产各种粒度的碳化硅粉、碳化硅密封陶瓷烧结、无压碳化硅烧结、碳化钛粉、碳化钒粉等金属粉末及复合金属粉末。. 特点:1.碳化硅烧结炉是生产碳化硅材料的 ...
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2023年5月8日 近年来，随着5G基站的建设以及特斯拉MODEL 3和比亚迪汉的热卖，碳化硅衬底市场风起云涌。. 据中国电子材料行业协会半导体材料分会统计我国从事碳化硅衬底研制的企业已经有30家（不包括中国电科46所、硅酸盐所、浙江大学和天津理工大学等纯研究机
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2022年9月5日 一、项目名称：碳化硅生产线节能减排升级改造项目 二、项目实施单位：青海欣昌新材料科技有限公司 三、项目总投资：8500万元 四、项目建设内容：将现有的2组16500KVA电阻炉升级改造为1组33000KVA 电阻炉，配套建设大型节能环保喷淋脱硫除尘环保
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2022年1月11日 6英寸碳化硅衬底晶片已形成销售. 露笑科技表示，公司现有50台6英寸碳化硅长晶炉正常生产中，2022年1月15日前将有62台新长晶炉投入使用，2022年5月底前将完成另外112台长晶炉的安装调试，2022年6月底前将有224台长晶炉投入生产。. 而在此前一周的调研中，露笑 ...
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2023年10月27日 科友半导体现已正式步入产业化道路，现有长晶炉生产线1条，年产长晶炉200台，高纯石墨加工设备、高纯度碳化硅原料制备设备各一套；6-8寸碳化硅晶体生产线1条，年产6-8寸碳化硅衬底10 万片。 ...
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2023年12月8日 半导体碳化硅（SIC）功率器件产业链上游细分环节；. 外延是指在衬底的上表面生长一层单晶材料。. 如果衬底与外延层是 同一种材料， 这种外延层被称作 同质外延； 如果衬底与外延层是 不同的材料， 则称作 异质外延。. 在晶体生长和晶片加工过程中，会不
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2023年10月20日 冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法西安科技 冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法所属领域:材料科学与工程成果简介:1成果的基本情况 碳化硅的工业生产，国内外一直沿用100多年前Acheson发明的单炉芯技术，该法能耗高、产品品质差、环境污染大、生产不安全、单炉产量小，因而生产 ...
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2023年9月4日 投5亿元建8吋SiC项目. 今年1月，据”衢州统战“消息，浙江衢州市新增了一个8英寸SiC晶圆项目。. 据介绍，该项目承建方为北京六方微晶科技有限公司，项目拟选址于柯城区，规划用地约30亩，总投资约5亿元。. 项目计划建设年产10000片碳化硅晶圆生产线，生
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2024年2月18日 半导体碳化硅 (SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；. 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。. 一、SiC 单晶生长设备. SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,
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2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司. 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。. 公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电
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2024年2月5日 陈小龙长期从事第三代半导体材料碳化硅晶体制备的基础和应用基础研究。. 20多年来，他带领团队从零开始自主创新，抢占科技制高点，打破国外封锁，实现碳化硅单晶国产化。. 2023年底，陈小龙带领团队另辟蹊径，实现了晶圆级立方碳化硅单晶生长的新突
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2022-3-30 高温炉生产线专为硅-碳化合物（SiC）或镓-氮化合物（GaN）设备的后植入烧结而设计开发。 Activator150可用于多种类型炉体，如研发炉和批量生产炉，且处理灵活性高。centrotherm的无金属加热装置的***设计允许处理温度高达1850°C同时缩短了 ...
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多热源生产碳化硅新技术已获得国家专利，在国内已建成 12 条生产线，技术成熟 先进，生产碳化硅可节能 10%～15％，一级品率提高 30％，单炉产量提高 2 倍左右，产品 具有高纯度、高密度、高结晶性和高均匀性的“四高“特性，有广泛的应用前景。
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2023年5月5日 据报道，该项目总投资13亿元，占地213亩，主要建设300台碳化硅长晶炉及切磨抛生产线 ，后期建设碳化硅外延片，并逐步形成碳化硅晶体—晶片—外延片产业链。 此外，据包头市人民政府官网4月21日报道，该项目建成投产后产值可达30亿元，税收 ...
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SiC单晶生长炉 发布时间: 2018/09/06 13:05,类别: 自主研发设计第五代的SiC单晶生长设备，可满足6到8寸导电及半绝缘型碳化硅 单晶的生长制备。采用单室立式双层水冷不锈钢结构，由炉膛、真空获得及测量系统、坩埚杆拉送系统、感应加热系统、电控 ...
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