首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2024年2月18日 碳化硅（SiC）具有高频、高效、高功率密度、耐高温、高压的性能特点，主要应用于新能源汽车、轨道交通、光伏发电和工业电源领域。 以新能源汽车为例，
了解更多
2023年6月22日 用途和制作方法. 什么是碳化硅 (SiC)？ 用途和制作方法. 2023年6月22日. 碳化硅，也称为 SiC，是一种 半导体 基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺
了解更多
2022年5月20日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。 常用
了解更多
2016年12月14日 Articles Blogs. 碳化硅 (SiC)：历史与应用. 作者：Rich Miron. 投稿人：DigiKey. 2016-12-14. 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC)，俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分
了解更多
2022年12月15日 长晶炉基本实现国产替代. 事实上，碳化硅衬底制备的关键环节在于长晶工艺，由于碳化硅需要在高温（>2,200℃）、真空环境中生长，对温场稳定性的要求高，
了解更多
2023年5月4日 本词条由 中国科学院化学研究所、中国科学院大学化学科学学院 参与编辑并审核 ，经 科普中国科学百科 认证 。. 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英
了解更多
2023年5月21日 SiC工艺及设备特点. 由于SiC材料具备高硬度、高熔点、高密度等特性，在材料和芯片制备过程中，存在一些制造工艺的特殊性，如单晶采用物理气相传输法（升华法），衬底切磨抛加工过程非常缓慢，外
了解更多
苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司自2014年开始研发电阻法碳化硅生长设备及工艺，历经5年，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型 ...
了解更多
2024年3月28日 作为全球高端半导体设备制造商，来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会，并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。. 专为 ...
了解更多
2022年3月2日 制造流程：碳化硅衬底属于技术密集型行业。通常以高纯碳粉、高纯硅粉为原料合 成碳化硅粉，在特殊温场下，采用成熟的物理气相传输法（PVT 法）生长不同尺寸的 碳化硅晶锭，经过多道加工工序产出碳
了解更多
2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 ...
了解更多
2023年2月16日 半导体与半导体生产设备行业：碳化硅，把握能源升级+技术迭代的成长机遇（33页）.pdf. 【报告导读】近年来，随着 5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发
了解更多
2023年12月6日 1、全球碳化硅行业市场规模. 碳化硅的优势是其高效率、低能耗和耐高温的特性，这些优点使得碳化硅成为新一代功率器件的理想选择。. 在电动汽车、可再生能源和工业自动化等应用的推动下，碳化硅的需求量不断增加。. 数据显示，2022年全球碳化硅行业市
了解更多
2022年3月2日 1. SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心. 1.1. SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越. 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。. 核心分为以下三代：. 1) 第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半
了解更多
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ...
了解更多
碳化硅粉生产工艺-3. 研磨烧结后的产物需要经过研磨处理，以获得所需的碳化硅粉。研磨的目的是获得细小且均匀的颗粒。研磨过程中可以加入一些润滑剂和分散剂，以提高研磨效率。设备选型选择合适的设备对于碳化硅粉的生产工艺至关重要。下面介绍几种常用
了解更多
2023年12月25日 新型多线切割设备可切割直径为10吋的晶圆 与硅基功率半导体相比，碳化硅材料功耗更低，预计在电动汽车（EV）等方向的需求有望进一步增长。晶圆尺寸越大，可以切割出的芯片数量就越多，因此晶圆厂家纷纷致力于向大尺寸晶圆“迈进”，如今已经从6吋向8吋（为6吋的1.8倍）过渡。
了解更多
2023年3月13日 晶体制备. 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。. 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：. 温场控制困难、生
了解更多
2024年4月15日 碳化硅存在着约250种结晶形态。[24] 由于碳化硅拥有一系列相似晶体结构的同质多型体使得碳化硅具有同质多晶的特点。 这些多形体的晶体结构可被视为将特定几种二维结构以不同顺序层状堆积后得到的，因此这些多形体具有相同的化学组成和相同的二维结构，但它们的三维结构不同。
了解更多
2024年1月24日 近几年是国产设备厂商的黄金发展3年，我国上述设备在近几年得到较快发展。 在碳化硅器件封测领域，氮化硅主要采用AMB工艺，更受行业欢迎。据悉，AMB工艺生产的陶瓷衬板主要运用在功率半导体模块上作为硅基、碳化基功率芯片的基底。
了解更多
2016年7月28日 红星机器生产的颚式破碎机全部采用的是好的材质加工而成，减少了设备零部件在破碎碳化硅中的摩擦，延长了更换周期，提高了设备的耐磨性能，缩短了设备的停机时间，可以说是非常不错的一款碳化硅破碎设备。. 2、反击式破碎机. 反击式破碎机 之所以可以 ...
了解更多
2017年4月21日 中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。. 黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。. 但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在以下问题：（1）生产设备不先进，很多工序依靠人力完成，人均产量较低。. （2）碳化硅的分散 ...
了解更多
2023年12月26日 CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备。. 该设备不仅支持切割当下主流的直径为6吋（约15厘米）的晶圆，还可用于切割10吋 ...
了解更多
2022年3月22日 公司于 2006 年 9 月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所 共同设立，是国内导电 型碳化硅衬底龙头企业之一，在全球导电型碳化硅市场份额排名 ...
了解更多
2023年11月3日 宇晶股份近期接受投资者调研时称，碳化硅是第三代半导体材料代表之一，碳化硅是一种高性能的磨料，具有高硬度、高强度、高耐磨性、高耐腐蚀性、高热稳定性等特点，其材料加工难度大，制作成本高。近年来，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平 ...
了解更多
2023年12月18日 2019年10月，超芯星推出了大尺寸（6-8英寸）碳化硅单晶衬底材料；2020年，超芯星创新自研的全国首台套高速率碳化硅单晶生长设备诞生。2022年7月，超芯星生产的“6英寸碳化硅衬底”打破国际垄断，顺利进入美国一流器件厂商。
了解更多
2023年11月16日 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。
了解更多