首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2023年7月11日 碳化硅零部件机械加工工艺. 碳化硅是现代化社会发展中出现的一种新型材料，具有稳定性好、质轻等优点，国际上已将其当做空间光学遥感器中的反射镜材料进行
了解更多
2022年1月21日 碳化硅晶片生产流程. 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）
了解更多
1 天前 本文以研究第三代半导体碳化硅衬底磨抛加工 技术为目的，综述了机械磨抛技术、化学反应磨抛技 术的进展. 根据去除机理的不同，划分并总结现有磨 抛技术的特点：传统
了解更多
2022年10月9日 目前报道的碳化硅切片加工技术主要包括固结、游离磨料切片、激光切割、冷分离和电火花切片，不同技术对应的性能指标如表 1 所示，其中往复式金刚石固结磨
了解更多
2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机 械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对 SiC 粉体的制备、碳化硅
了解更多
2022年12月1日 实现碳化硅离子注入的方法. 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描
了解更多
2021年12月8日 碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化. 推荐单位： 中国科学院物理研究所. 完成单位： 中国科学院物理研究所. 合作单位： 北京天科合达半导体股份有限公司. 中国科学院物理研究所. 成果简介. 碳化
了解更多
2 天之前 碳化硅晶片生产流程. 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成
了解更多
2024年4月18日 三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混 合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反
了解更多
具体工艺如下：. 碳化硅的生产工艺-2.反应器装填：将处理好的基材放入CVD反应器中，并将反应器加热至合适的温度。. 3.反应气体供应：将含有碳源和硅源的气体以一定流速供应进入反应器，同时控制反应温度、压力和气体比例。. 4.气相反应：碳源和硅源的气体 ...
了解更多
2024年2月3日 1.一种碳化硅陶瓷的注射成型方法，其特征在于，按以下步骤进行：混料>造粒>注塑成. 型>催化脱酯>烧结；. (一)混料：. 其混料包括有机物与无机物两部分的混合；. 无机物部分包括两部分：碳化硅粉体和烧结助剂；. 碳化硅粉体：D50粒度在0.1um～5um，占无
了解更多
2023年1月17日 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。
了解更多
2020年6月19日 碳化硅机械件的加工工艺 相同结构的零件用普通车工、铣工能加工的，SiC机械件却无法进行，需要特殊的加工方法如磨削加工、数控加工、电火花及超声波等机械加工工艺。. 由于材质硬度大普通刀具难于切削，因此要用专用刀具。. 由于材质硬度大，难加工等 ...
了解更多
2021年6月18日 碳化硅陶瓷加工欢迎致电钧杰陶瓷：134_128_56568，其的莫氏硬度可以达到9.0以上，那就意味着加工难度非常大。目前常见的碳化硅有：重结晶碳化硅、无压烧结碳化硅、氮化硅结合碳化硅、反应烧结碳化硅等，其中加工难度最大的是无压烧结
了解更多
2023年4月28日 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。. 1.切割. 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。. 将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的切割方式是多线砂浆切割. 2.研磨. 研磨工艺是去除
了解更多
2022年1月21日 一、对温度和压力的控制要求高，其生长温度在2300℃以上；. 二、长晶速度慢，7 天的时间大约可生长2cm 碳化硅晶棒；. 三、晶型要求高、良率低，只有少数几种晶体结构的单晶型碳化硅才可作为半导体材料；. 四、切割磨损高，由于碳化硅的硬度极大，在
了解更多
2024年1月10日 碳化硅产业链图谱. 生产工艺流程及周期. 碳化硅生产流程主要涉及以下过程：. 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；. 3）外
了解更多
2022年4月24日 国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展. 李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林 2022-04-24. 分享. 摘要： 碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。. 然而，由
了解更多
2023年5月8日 近年来，随着5G基站的建设以及特斯拉MODEL 3和比亚迪汉的热卖，碳化硅衬底市场风起云涌。. 据中国电子材料行业协会半导体材料分会统计我国从事碳化硅衬底研制的企业已经有30家（不包括中国电科46所、硅酸盐所、浙江大学和天津理工大学等纯研究机
了解更多
2017年10月30日 CNC加工碳化硅一般选用陶瓷雕铣机最为合适,加工陶瓷一般使用磨棒而不是传统的刀具。 每次的进刀量控制在0.005左右,不宜太
了解更多
2022年9月8日 目前，碳化硅单晶的生长一般采用PVT法工艺。 由于碳化硅单晶生长的最终目的是为了获取大尺寸、低缺陷的碳化硅单晶，随着碳化硅单晶的尺寸增大，对单晶炉内的真空压力控制要求极高，工艺气体的压
了解更多
碳化硅合成方法和生产工艺流程介绍_千家信耐材千家信耐材为您介绍：碳化硅生产工艺流程 碳化硅的生产工艺流程适用于冶金、建材、化工、矿山等领域用于碳化硅磨粉加工，可根据不同的研磨要求选择合适的研磨和辅助设备。相关碳化硅粉碎设备、研磨设备、筛分设备、进料
了解更多
2023年5月18日 1）加工效率较低，碳化硅晶锭长度较短，使用多线切割技术需要先将多个晶锭进行拼接，降低了加工效率；. 2）材料损耗率高，加工过程中切割线会将部分碳化硅材料削磨成碎屑从而产生锯口损失，并且高速运动会在表面形成粗糙切痕，材料损耗率高
了解更多
2010年9月29日 图解白刚玉微粉和碳化硅微粉的生产工艺流程 - 产品知识 - 河南锐... 2018年8月1日-刚玉只有白刚玉微粉,碳化硅有绿碳化硅微粉和少量立方氮化硅微粉。白刚玉微粉的生产工艺流程有两种,如下两图所示:碳化硅微粉的生产工艺流
了解更多
2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇. 在功率半导体发展历史上，功率半导体可以分为三代：. 第一代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有1.1eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。. 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化
了解更多
2023年6月19日 碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。. 1.切割. 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。. 将SiC晶棒切成翘曲度小，厚度均匀的晶片，目前常规的切割方式是多线砂浆切割. 2.研磨. 研磨工艺是去除
了解更多
2021年12月24日 如赵争鸣教授强调的那样，SiC器件的快速发展将经历从理想优势到应用效益的转变，人们先是期待获得高频、高压、高温等优异的特性，也得到了一些好处，效率提高很多，但也发现了大量问题，在实际现场大规模使用SiC MOSFET仍处在一个两难的阶段。.
了解更多
2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ...
了解更多
2024年1月12日 碳化硅产业链图谱. 生产工艺流程及周期. 碳化硅生产流程主要涉及以下过程：. 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；. 3）外
了解更多